由中科(ke)院半導體(ti)所韓培德研究員領導的光(guang)伏(fu)能(neng)源(yuan)組，在國(guo)(guo)家縱向經費(fei)和自籌經費(fei)的支持(chi)下，瞄準(zhun)光(guang)伏(fu)企業需(xu)求，經過多年苦戰，綜合了入射光(guang)減反(fan)技(ji)(ji) 術(shu)、鈍(dun)化技(ji)(ji)術(shu)、選擇(ze)性(xing)發射極技(ji)(ji)術(shu)、背面局(ju)部重摻技(ji)(ji)術(shu)等優點，在單晶硅襯底上研發出效率高達20.0%的太陽電(dian)池(chi)(短路電(dian)流密度 JSC=43.9mA/cm2，開(kai)路電(dian)壓VOC=602mV，填充(chong)因子FF=0.758)，并經中國(guo)(guo)計量科(ke)學研究院認(ren)證。
在中國特色的(de)光伏(fu)運(yun)動(dong)推動(dong)下，單(dan)晶(jing)(jing)硅(gui)/多晶(jing)(jing)硅(gui)太(tai)陽電(dian)池(chi)將以第(di)一代(dai)電(dian)池(chi)身(shen)份(今年年底)跨入Martin A.Green說描(miao)述的(de)第(di)三代(dai)電(dian)池(chi)范疇(chou)(即光電(dian)轉(zhuan)換效(xiao)率(lv)(lv)20%，電(dian)力成本(ben)(ben)$0.5/W，制(zhi)造(zao)成本(ben)(ben)$100/m2)，單(dan)晶(jing)(jing)硅(gui)/多晶(jing)(jing)硅(gui)太(tai)陽電(dian)池(chi)在光伏(fu)能(neng)源中的(de) 主導地位將長期不變。正因如此(ci)，提高單(dan)晶(jing)(jing)硅(gui)電(dian)池(chi)效(xiao)率(lv)(lv)、形成自主知識產權、引領光伏(fu)企業向前發展更(geng)具(ju)有(you)重(zhong)要的(de)戰略意義。
針對當前光伏低谷的產業形勢，課題組提出了“提效率、重檢測、降成本、促應用” 十二字方針，以此作為該組日常工作指南，努力走一條與企業需要相結合的研發道路。下一步將繼續提高電池效率，同時對現有技術進行中試，并在產線上加以推廣和應用。